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            開(kāi)爾文探針

            簡(jiǎn)要描述:環(huán)境壓力光發(fā)射光譜(APS)系統通過(guò)光發(fā)射測量材料在環(huán)境條件下的絕對功函數,不需要真空。APS的激發(fā)范圍為3.4 eV至7.0 eV,這意味著(zhù)APS能夠測量金屬的絕對功函數和半導體的電離勢,同時(shí)用開(kāi)爾文探針測量表面費米能級。

            • 產(chǎn)品型號:APS04
            • 廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
            • 更新時(shí)間:2024-05-16
            • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:384
            詳細介紹

            開(kāi)爾文探針系統KP技術(shù)在使研究人員能夠改進(jìn)其材料的特性方面處于Leading position地位。

            我們的專(zhuān)業(yè)知識支持新興和材料技術(shù)的發(fā)展。

            目前令人興奮的增長(cháng)領(lǐng)域包括太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦、二維材料、石墨烯、oled、光伏和鉬的研究,然而這項技術(shù)可以應用于許多科學(xué)領(lǐng)域

            開(kāi)爾文探針


            開(kāi)爾文探針

            掃描開(kāi)爾文探針是一種非接觸、非破壞性振動(dòng)電容裝置,用于測試導電材料的功函或半導體材料表面的表面電勢,表面功函。由材料表面最頂部的1-3層原子或分子決定,因而開(kāi)爾文探針是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)。KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV業(yè)界最高分辨率的測試系統。

            特性

            •在空氣中光電發(fā)射功函數

            •密度的狀態(tài)測量

            •3.4 eV至7.0 eV能量范圍

            •測量所有半導體波段

            開(kāi)爾文探針接觸電位差

            應用領(lǐng)域:

            •有機和非有機半導體

            •金屬和金屬合金

            •薄膜和表面氧化物

            •太陽(yáng)能電池和有機光伏

            •腐蝕和納米技術(shù)



             


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